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研究資料明細

標題 Decoupled Tunneling and GIDL Effects for 28nm High-k Stacked nMOSFETs
作者順序 4
研討會名稱 2017 6th International Symposium on Next Generation Electronics (ISNE)
舉行之國家 中華民國
舉行之城市 Keelung
開始日期 2017-05-24
結束日期 2017-05-24